製品案内 : ドイツ　イノバベントGmbH : 株式会社オプトピア

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■ ドイツ　イノバベントGmbH (INNOVAVENT GmbH)

固体レーザ用光学システムの設計、製造、コンサルティング及びプロセス開発を行うオプティカルステムのパイオニアです。特にシリコンのレーザアニーリングプロセスに特化した光学系を得意とし、次世代ディスプレイデバイス及び高密度半導体デバイスの技術革新を担うキーテクノロジーとして欠かせない技術を誇ります。研究開発のためのクリーンルームには主要なレーザメーカの固体レーザがラインナップし、各プロセスに最適なレーザ及び光学システムの組み合わせでサンプルテストが可能です。光学系は高度な次元で均一化と安定化を可能にするホモジナイザー及び超高解像度対物レンズを組み合わせた照射システムとＸＹＺステージ、オートフォーカス、エネルギーモニター及びビームプロファイラーを備えています。
ＬＡＶＡオプティカルシステムは、高性能結像レンズを採用しているため２ミクロンの解像度で結像が可能です。
ＶＯＬＣＡＮＯオプティカルシステムはガウシャンラインビームを５０ｍｍ以上の長さで均一に照射でき、レーザのエネルギーが十分であれば１００ｍｍ以上のビームも可能です。

■ 高出力Green Disk Laser JenLas ASAMA

シリコン薄膜のアニール及び半導体デバイスのアニール用に最適な高出力グリーンディスクレーザです。シリコンの結晶化と半導体の活性化を最適に制御するために、レーザの時間的パルス幅は独立のパラメータとして簡単に変更でき、250nsから600nsの間で自由に設定可能です。
また、干渉縞を抑えて均一で、かつ焦点深度の深いラインビームを得るために、コヒーレント長を制御したビーム品質になっており、アニールに最適なレーザです。
ラインナップは80Wモデルと100Wモデルの２種類を用意しており、ラインビーム長とプロセスに最適なレーザを選択可能です。

	ASAMA 100-2	ASAMA 80-8
Wavelength	515nm	515nm
Power, repetition rate	100W@50kHz	80W@10kHz
Pulse energy	2mJ	8mJ
Pulse length(FWHM)	250ns-600ns	250ns-600ns
Pulse-to-pulse power fluctuation(1δ)	<1%	<1%
Mx² / My²	4.5±0.7 / >15	4.5±0.7 / >15
Spectral bandwidth	>=200nm FWHM	>=200nm FWHM
Beam diameter (at laser exit, 1/e²)	2.2mm +/-0.5mm	2.2mm +/-0.5mm

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■ a-Siのp-Si結晶化（TFTアニール）

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■ パルスレーザによるFull Melt及びPartial Meltプロセス

<Pulsed Full Melt>
- Full melt directional lateral crystallization (ridge less process)

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■ ＣＷレーザによるSPC(Solid Phase a-Si Crystallization)及びFull Melt

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<G8 concept>

G8基板の高速処理プロセスについては、別途お問い合わせください。
お問い合わせ：sales@optopia.co.jp

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■ a-Siアニールスループット比較

100W当たりの処理能力比較（Green Pulse, Green CW, Excimer laser）

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■ LAVA及びVOLCANO仕様（FPDアニール及び半導体アニール用）

	LAVA 100	VOLCANO 80	VOLCANO 160	VOLCANO 600
Line width (gaussian)	5-40µm	5-40µm	5-10µm	50-100µm
Line length (flat)	2-8mm	Up to 55mm	Up to 100mm	1-5mm
Energy density/ Power density	Up to 4J/cm²	Up to 1500mJ/cm²	Up to 1500mJ/cm²	Up to 400kW/cm²
wevelength	515nm, 635nm (focus monitor)	515nm, 635nm (focus monitor)	515nm, 635nm (focus monitor)	808nm, 940nm
Laser power, Repetition rate	JenLas.® ASAMA 100W @ 50kHz	JenLas.® ASAMA 80W @ 10kHz	JenLas.® ASAMA 2 x 80W @ 10kHz	Diode laser stack 200-600W, cw
p-p power fluctuation(1σ)	<1%	<1%	<1%	n.s.
Pulse length	250ns-600ns	250ns-600ns	250ns-600ns	cw
p-lens	EAGLE Spherical lens type 10x, NA 0.25 FOV 10mm WD >35mm	FALCON Cylinder lens type 10x, NA 0.25 Clear apert. 70mm WD >35mm	FALCON Cylinder lens type 10x, NA 0.25 Clear apert. 120mm WD >35mm	FALCON Cylinder lens type 10x, NA 0.25

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光学モジュール

結像レンズ

　　　　　　　　　　　　結晶化シリコン薄膜

　　　　　　　　VOLCANO Optical Sub System

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■ ＶＯＬＣＡＮＯ仕様　（半導体アニール用）

	VOLCANO 80/160 Semi	IGBT VOLCANO 80 Semi IMAGE SENSOR
Wavelength	515nm	515nm
Laser power	80W or 160W	80W
Laser line size	Up to 6mm x 40µm	36mm x 6µm
Process duration (pulse length)	250ns - 600ns	250ns - 600ns
Energy density	Variable, up to 4J/cm²	Variable, up to 2.5J/cm²
Throughput	Up to >60 wafers/h(6")	Up to >60 wafers/h (8")

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　　　　　　　Long axis intensity profile

　　　　　　　Sketch of optical beam shaping system

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　光学モジュール

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■ 結晶太陽電池のレーザによる活性化

- ロングパルスグリーンレーザによる、低ダメージプロセス
- DOE光学系を用いた多分岐光学系による高スループット
- 均一ラインビームによる高品位プロセス

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	■お問い合わせ株式会社オプトピア〒213-0012　神奈川県川崎市高津区坂戸3-2-1 かながわサイエンスパーク西棟611 TEL 044-812-5911 / Fax 044-812-5921 sales@optopia.co.jp © Optopia Co.,Ltd. All Rights Rserved.